Вентильная фотоЭДС - ЭДС, возникающая в результате пространственного разделения электронно-дырочных пар, генерируемых светом в полупроводнике электрическим полем n-р перехода, гетероперехода, приэлектродного барьера. При вентильном фотоэффекте электрическое поле к фотоэлементу не прикладывается, т. к. они сами являются генераторами фотоЭДС. Характерной особенностью фотоэлементов с вентильным фотоэффектом является наличие запирающего слоя между полупроводником и электродом, который вызывает выпрямляющее действие данного слоя (рис. 1.17).
Слой полупроводника с вентильным фотоэффектом обладает не только сопротивлением, но и емкостью и является выпрямителем и источником ЭДС при его освещении светом. На рис. 1.17 пластинка Сu (4) является одним из электродов. Сверху она покрывается тонким слоем (2) закиси меди Сu 2 0 вследствие нагревания меди в воздухе при высокой температуре. Запирающий слой (3) образуется на границе Сu 2 0 и меди. Сверху наносится тонкий полупрозрачный слой золота (1). При освещении между электродами 1 и 4 возникает разность потенциалов.
| Рис. 1.17 |
Если соединить эти электроды через гальванометр, то при падении света возникает фототок, направленный от меди к Сu 2 0. Фотопроводимость меднозакисных фотоэлементов вызвана движением дырок. Тонкий запирающий слой (d » 10 - 7 м) на границе металл - полупроводник вызывает запирающее действие фотоэлемента и возникновение фотоЭДС до 1 В. В этом случае лучистая энергия света непосредственно переходит в электрическую. КПД фотоэлемента ~2,5%.
Эффект Комптона
Явление Комптона состоит в увеличении длины волны рентгеновских лучей при их рассеянии на атомах вещества, которое сопровождается фотоэффектом. С точки зрения классической волновой теории длина волны рассеянного излучения должна равняться длине волны падающего.
Схема опыта Комптона приведена на рис. 1.18, где S - источник рентгеновского излучения; D 1 и D 2 - диафрагмы, формирующие узкий пучок рентгеновских лучей; А - вещество, рассеивающее рентгеновские лучи, которые затем попадают на спектрограф С и фотопластинку Ф.
Явление Комптона характеризуется следующими закономерностями:
1. Зависит от атомного номера вещества. 2. При увеличении угла рассеяния интенсивность комптоновского рассеяния возрастает. 3. Смещение длины волны возрастает с увеличением угла рассеяния.
4. При одинаковых углах рассеяния смещение длины волны одно и
При взаимодействии рентгеновского фотона с электроном последний получает энергию (W) и импульс (р = mv) покидает атом (электрон отдачи), а энергия и импульс рассеянного фотона уменьшаются (рис. 1.19).
Для нахождения изменения длины волны рассеянного фотона в эффекте Комптона применим закон сохранения импульса
и закон сохранения энергии
W ф + W 0 = W + ,
где полная энергия частицы
.
Из закона сохранения импульса находим импульс частицы (электрона).
Например, согласно рис. 1.19 (теорема косинусов)
Учитывая релятивистский характер движения для фотона, имеем
W ф = hn= р ф с.
С учетом этого закон сохранения энергии представим в виде
Решив совместно (6.18) и (6.19) и после возведения в квадрат получаем
, (1.34)
(1.35)
Импульсы падающего и рассеянного фотонов; j - угол рассеяния;
с - скорость света; h - постоянная Планка.
Используя связь длины волны с частотой в виде:
и
Фотоэффект запорного слоя
Рассмотрена физика фотоэффекта запорного (запирающего) слоя (вентильный фотоэффект). Механизм возникновения электрподвижущих сил под действием света проанализирован на примере закиси меди.
В разделе фотопроводимость было показано, что под действием поглощенного света электроны могут переходить из заполненной зоны в свободную, создавая таким образом фотопроводимость. При этом в полупроводнике возникает лишь дополнительная проводимость, но не образуется никаких собственных электродвижущих сил. Однако известно и другое явление - появление электродвижущих сил в результате освещения полупроводника. Например, если подвергнуть полупроводник неравномерному освещению так, чтобы одни части образца освещались значительно сильнее, а другие значительно слабее, можно в ряде случаев обнаружить некоторую разность потенциалов между светлыми и темными участками. Это явление объясняется тем, что в момент освещения электроны начинают диффундировать из освещенных участков в темные в большем числе, чем в обратном направлении. Такая преимущественная диффузия приводит к тому, что темные участки в случае электронного механизма проводимости постепенно заряжаются отрицательно, а светлые - положительно. Вследствие этого внутри полупроводника образуется постепенно нарастающее электрическое поле, которое, в конце концов, установит равновесное состояние, характерное тем, что электронные потоки в ту и другую сторону сравняются. Когда наступит равновесие, между светлым и темным участками полупроводника будет существовать некоторая разность потенциалов, доходящая иногда до 0,2 В.
Однако самое интересное проявление воздействия света на полупроводник заключается в существовании так называемого фотоэффекта запорного слоя.
Окислим медную пластинку, образовав на ней слой закиси меди Сu 2 0, которая является классическим полупроводником. Нанесем на поверхность закиси меди очень тонкий слой металла, например серебра. Известно, что очень тонкие металлические слои полупрозрачны. Затем составим простую электрическую цепь. К полупрозрачному серебряному электроду подведем провод от одного зажима гальванометра, второй зажим которого соединим с медной пластинкой. Эта схема характерна тем, что в ней нет источника тока. Если направить на верхний полупрозрачный серебряный электрод поток совета, то стрелка гальванометра уйдет далеко вправо от своего нулевого положения, так как в цепи пойдет ток. Это явление обусловливается существованием в системе металл - полупроводник запорного слоя.
В рассматриваемом случае электроны под действием света переходят из закиси меди сквозь запирающий слой в медь. Следовательно, медная пластинка заряжается отрицательно, а полупрозрачный электрод положительно. Таким образом, облучение светом меднозакисной поверхности вызывает в цепи появление электрического тока. Аналогичное явление наблюдается и у других полупроводников. Особенно ярко этот эффект проявляется в системах, включающих такие полупроводники, как сернистый таллий, сернистое серебро, селен, германий, кремний, сернистый кадмий.
Явление возникновения электродвижущей силы или электрического тока под действием света в системах, состоящих из электронного и "дырочного" полупроводников, запорного слоя и металлических электродов, получило название фотоэффекта запорного слоя или вентильного фотоэффекта.
Какова природа вентильного фотоэффекта? Механизм этого явления складывается из нескольких этапов. Первый этап заключается в том, что поглощенный свет освобождает в полупроводнике одновременно электроны и дырки, образуя так называемые пары "электрон-дырка". Освобождение пар сводится к тому, что электроны из заполненной зоны перебрасываются в свободную зону, становясь, таким образом, электронами проводимости, а дырки остаются в заполненной зоне и получают также возможность участвовать в электропроводности.
Если бы свет поглощался в каком-нибудь одном полупроводнике, не контактирующим с другим полупроводником, то возникшие под действием света пары увеличили бы лишь проводимость данного полупроводника и на этом бы все дело и кончилось. Совсем иное имеет место в рассматриваемой нами системе, состоящей из полупроводников с электронной проводимостью (обозначаемых буквой n) и дырочной проводимостью (обозначаемых буквой p). Между обоими полупроводниками заключен запирающий слой. Контакт р и n полупроводников приводит к образованию между ними контактного электрического поля. И если работа выхода "дырочного" полупроводника больше работы выхода электронного, что обязательно для двух полупроводников одного и того же химического состава, то это контактное электрическое поле направлено от электронного полупроводника к "дырочному". Что же произойдет в этом случае с парами? Очевидно, что "освобожденные" светом неосновные носители тока, т. е. электроны в дырочном полупроводнике или дырки в электронном, под действием этого поля будут через запирающий слой переходить из одного полупроводника в другой. По мере перехода неосновных носителей тока из одного полупроводника в другой будет увеличиваться их накопление в одной части рассматриваемой системы, в то время как в другой части будет происходить накопление основных носителей тока. Таким образом, образованные светом пары начнут разделяться: электроны концентрироваться в электронном полупроводнике, а дырки - в дырочном. Это накопление не может продолжаться беспредельно потому, что параллельно с возрастанием концентрации дырок в "дырочном" полупроводнике и электронов - в электронном возрастает создаваемое ими электрическое поле, которое препятствует переходу неосновных носителей из одного полупроводника через запирающий слой в другой полупроводник. Вместе с тем по мере возрастания этого поля возрастает и обратный поток неосновных фотоносителей. В конце концов, наступит динамическое равновесие, когда число неосновных носителей, перемещающихся за единицу времени через запирающий слой, сравняется с числом тех же носителей, перемещающихся за тот же самый промежуток времени в обратном направлении. В этот момент между верхним и нижним электродами установится некоторая окончательная разность потенциалов, которая по существу и будет представлять собой фотоэлектродвижущую силу.
Говоря об установлении подобного динамического равновесия, следует иметь в виду, что число неосновных фотоносителей N перемещающихся за единицу времени из освещаемого полупроводника через запирающий слой в другой полупроводник, зависит от интенсивности светового потока. С увеличением интенсивности светового потока увеличивается численное значение N. Сначала это увеличение идет по линейному закону, а затем возрастание N начинает все больше и больше отставать от возрастания интенсивности светового потока до тех пор, пока не наступает полное насыщение. В соответствии с изменением N в зависимости от изменения светового потока изменяется и величина фотоэлектродвижущей силы, которая, в конечном счете, и представляет в этом явлении главный интерес.
Таков в самых общих чертах механизм возникновения фотоэлектродвижущей силы в системе, состоящей из р и n полупроводников и заключенного между ними запирающего слоя.
Вентильный фотоэффект особенно активно протекает в полупроводниковых системах с большой диффузионной длиной "неосновных" носителей тока и соответственно большим временем их жизни.
Из рассмотрения механизма возникновения вентильной фотоэлектродвижущей силы видно, что электрод, непосредственно контактирующий с электронным полупроводником, всегда заряжается отрицательно, в то время как электрод, непосредственно контактирующий с дырочным полупроводником, заряжается положительно. Поэтому у разных типов вентильных фотоэлементов верхний полупрозрачный электрод может приобретать как положительный заряд, так и отрицательный.
Открытие фотоэффекта запорного слоя расширило возможности практического использования полупроводников и легло в основу устройства вентильных фотоэлементов - приборов, прямым и непосредственным путем преобразующих лучистую энергию в электрическую.
М.С.Соминский. Полупроводники. (Фотоэффект запорного слоя).
ФОТОЭФФЕКТ ВЕНТИЛЬНЫЙ
фотоэффект в запирающем слое, - возникновение под действием электромагнитного излучения электродвижущей силы (фотоэдс) в системе, состоящей из двух контактирующих разных ПП или из ПП и металла. Наибольший практич. интерес представляет Ф. в. в р - я-переходе и гетеропереходе. Ф. в. используют в фотоэлектрич. генераторах, в ПП фотодиодах, фототранзисторах и т. д.
- - Б., при котором проходимость бронха сохраняется в фазе вдоха н полностью нарушается в фазе выдоха...
Большой медицинский словарь
- - разрядник, предназначенный для защиты изоляции электрооборудования от атм. и коммутац. перенапряжений; представляет собой ряд искровых промежутков, последовательно с к-рыми включены нелинейные резисторы...
Большой энциклопедический политехнический словарь
- - электропривод, в к-ром для питания двигателя и регулирования его угловой скорости используется преобразователь на управляемых электрич. вентилях...
Большой энциклопедический политехнический словарь
- - испускание электронов веществом под действием электромагнитного излучения...
Энциклопедический словарь по металлургии
- - устройство для преобразования электрического тока с помощью электронных или ионных вентилей электрических...
- - Разрядник, предназначенный для защиты электрооборудования сетей переменного тока от различных перенапряжений...
Большая Советская энциклопедия
- - испускание электронов веществом под действием электромагнитного излучения. Ф. был открыт в 1887 Г. Герцем. Первые фундаментальные исследования Ф, выполнены А. Г. Столетовым...
Большая Советская энциклопедия
- - группа явлений, связанных с "освобождением" электронов твердого тела от внутриатомной связи под действием электромагнитного излучения...
Современная энциклопедия
- - электропривод, в котором регулирование режима двигателя производится с помощью управляемых вентильных преобразователей: выпрямителя, преобразователя частоты, регулятора постоянного...
- - явление, связанное с освобождением электронов твердого тела под действием электромагнитного излучения. Различают:..1) внешний фотоэффект - испускание электронов под действием света, ?-излучения и др.;....
Большой энциклопедический словарь
- - ...
- - ВЕ́НТИЛЬ, -я, м. ...
Толковый словарь Ожегова
- - ...
Орфографический словарь-справочник
- - в"...
Русский орфографический словарь
- - ...
Формы слова
- - прил., кол-во синонимов: 1 клапанный...
Словарь синонимов
"ФОТОЭФФЕКТ ВЕНТИЛЬНЫЙ" в книгах
Вентильный электропривод
Из книги Большая энциклопедия техники автора Коллектив авторовВентильный электропривод Вентильный электропривод – это электропривод, питающий электродвигатель и регулирующий его угловую скорость в преобразователях на управляемых электрических вентилях. Данный электропривод питает асинхронные и синхронные двигатели
Вентильный преобразователь
Из книги Большая Советская Энциклопедия (ВЕ) автора БСЭРазрядник вентильный
Из книги Большая Советская Энциклопедия (РА) автора БСЭЯдерный фотоэффект
Из книги Большая Советская Энциклопедия (ЯД) автора БСЭФотоэффект
БСЭФотоэффект внешний
Из книги Большая Советская Энциклопедия (ФО) автора БСЭФотоэффект внутренний
Из книги Большая Советская Энциклопедия (ФО) автора БСЭГлава 20 Фотоэффект в энергетике
Из книги Новые источники энергии автора Фролов Александр ВладимировичГлава 20 Фотоэффект в энергетике Фотоэффектом называется испускание веществом электронов под действием электромагнитного излучения. В 1839 году Александр Беккерель наблюдал явление фотоэффекта в электролите. В 1873 году Виллоби Смит обнаружил, что селен является
§ 4.3 Фотоэффект
автора§ 4.3 Фотоэффект При такой ситуации естественно предположить, что источник энергии отрывающихся от металла электронов заключён всё же не в лучах, а в самом металле. Что касается лучей, они лишь освобождают её, служат своего рода запалом - ведь одной искры бывает довольно,
§ 4.4 Селективный фотоэффект
Из книги Баллистическая теория Ритца и картина мироздания автора Семиков Сергей Александрович§ 4.4 Селективный фотоэффект Селективность фотоэлектрических явлений очень напоминает резонансные эффекты. Дело происходит так, как будто электроны в металле обладают собственным периодом колебаний, и по мере приближения частоты возбуждающего света к собственной
§ 4.5 Нелинейный фотоэффект
Из книги Баллистическая теория Ритца и картина мироздания автора Семиков Сергей Александрович§ 4.5 Нелинейный фотоэффект Вот уже более пятнадцати лет развивается новое научно-техническое направление, связанное с умножением оптических частот (применяется также термин "генерация оптических гармоник": второй гармоники, третьей, четвёртой и т. д. - в зависимости от
§ 4.6 Обратный фотоэффект, фотоионизация и солнечные батареи
Из книги Баллистическая теория Ритца и картина мироздания автора Семиков Сергей АлександровичВентильный фотоэффект , или фотоэффект в запирающем слое – вследствие внутреннего фотоэффекта возникает разность потенциалов вблизи контакта между металлом и полупроводником или между полупроводниками p и n типа. Вентильный фотоэлемент.
На металлический электрод 1 нанесен слой полупроводника 2, покрытый тонким полупрозрачным слоем золота 4, к нему плотно прижато метал.кольцо 5, служащее электродом. Между полупроводником и слоем золота возникает промежуточный слой 3, который обладает свойством пропускать электроны только в одном направлении – от полупроводника к золоту.
Если осветить p-n-переход светом, в области контакта двух полупроводни-ков, то возникают дополнительные носители заряда (электроны в p-области, дырки в областиn), которые достаточно легко проходят через переход. В результате в p- области образуется избыточный положитель-ный заряд, а в n-области – избыточ-ный отрицательный. Возникающая на контактах этих полупроводников разность потенциалов при поглощении в нем квантов эл/м излучения называется фотоэлектрод-вижущей силой (фото-ЭДС ). Если такой образец включить в замкнутую цепь, то возникнет электрический ток, который называется фототоком . Значение фото−ЭДС при небольших световых потоках пропорционально падающему на кристалл потоку. На явлении вентильного фотоэффекта основано действие солнечных батарей . Они представляют собой от нескольких десятков до нескольких сотен тысяч элементов из кремниевых p-n-переходов, соед. последовательно. Солнечные батареи преобразуют световую энергию непосредственно в электрическую.
9.Корпускулярно-волновой дуализм
Но явления интерференции и дифракции света никак в эту теорию не вписывались. Изтеория эл/м поля и уравнений Максвелла: свет – это просто частный случай эл/м волн, то есть процесса распространения в пространстве эл/м поля.
Волновая оптика объяснила не только те явления, которые не объяснялись с помощью корпускулярной теории, но и все известные.
В начале 20го века были обнаружены явления, которые с помощью волновой теории объяснить не удавалось. Это – давление света, фотоэффект, Комптон-эффект и законы теплового излучения. В рамках корпускулярной теории эти явления прекрасно объяснялись. Макс Планк назвал корпускулы световыми квантами, а Альберт Эйнштейн – фотонами. Эти две теории полностью дополняли друг друга.
Теория, объединяющая в себе и волновую, и корпускулярную теории - квантовая физика. Она не отвергает ни корпускулярную, ни волновую теории
Свет – диалектическое единство противоположных свойств: он одновременно обладает свойствами непрерывных электромагнитных волн и дискретных фотонов.
При уменьшении длины волны проявляются корпускулярные свойства. Волновые свойства коротковолнового излучения проявляются слабо (например, рентгеновское излучение). Наоборот, у длинноволнового инфракрасного излучения слабо проявляются квантовые свойства.
Освещенность в различных точках экрана прямо пропорциональна вероятности попадания фотонов в эти точки экрана.Но, такжеосвещенность пропорциональна интенсивности света I, котораяв свою очередь,пропорциональна квадрату амплитудыволны А 2 , вывод: квадрат амплитуды световой волны в какой-либо точке есть мера вероятности попадания фотонов в эту точку .
Цель работы: ознакомление с вентильным фотоэлементом, исследование вольт-амперных характеристик его.
Задача: снять семейство вольт-амперных характеристик при различных освещенностях, определить оптимальные нагрузочные сопротивления и оценить КПД фотоэлемента.
Приборы и принадлежности: , кремниевый фотоэлемент, магазин сопротивлений, милливольтметр, миллиамперметр.
ВВЕДЕНИЕ
Вентильный фотоэффект заключается в возникновении фото-ЭДС в вентильном, т. е. выпрямляющем, контакте при его освещении. Наибольшее практическое применение имеет вентильный фотоэффект, наблюдаемый в р- n-переходе. Такой переход возникает обычно во внутренней области кристаллического полупроводника, где меняются тип легирующей примеси (с акцепторной на донорную) и связанный с этим тип проводимости (с дырочной на электронную).
Если контакт между полупроводниками р - и n-типа отсутствует, то уровни Ферми на их энергетических схемах (рис. 1) расположены на разной высоте: в р-типа ближе к валентной зоне, в n-типа ближе к зоне проводимости (работа выхода из р-полупроводника А2 всегда превышает работу выхода из n-полупроводника А1).
https://pandia.ru/text/78/022/images/image006_62.gif" width="12" height="221">Вольт-амперная характеристика неосвещенного р - n-перехода представлена на рис. 3 (кривая 2). Она описывается выражением где JS – ток насыщения неосвещенного р - n-перехода; k – постоянная Больцмана; е – заряд электрона; Т – температура; U – внешнее напряжение. Знак «» относится соответст-венно к прямому или обратному нап-
равлению внешнего поля.
Если освещать фотоэлемент со стороны р-области, то фотоны света, поглощаясь в тонком поверхностном слое полупроводника, будут передавать свою энергию электронам валентной зоны и переводить их в зону проводимости, тем самым образуя в полупроводнике свободные электроны и дырки (фотоэлектроны и фотодырки) в равных количествах. Образованные в р-области фотоэлектроны являются здесь неосновными носителями. Двигаясь по кристаллу, они частично рекомбинируют с дырками. Но если толщина р-области мала, то значительная часть их доходит до р - n-перехода и переходит в n-область полупроводника, образуя фототок Jф, текущий в обратном направлении. Фотодырки так же, как и собственные дырки, не могут проникнуть в n-область, так как для этого они должны преодолеть потенциальный барьер в области р - n-перехода. Таким образом, р - n-переход разделяет фотоэлектроны и фотодырки.
Если цепь разомкнута, то фотоэлектроны, перешедшие в n-область, создают там избыточную по отношению к равновесной концентрацию электронов, тем самым заряжая эту часть полупроводника отрицательно. Фотодырки заряжают р-область положительно. Между обеими частями полупроводника возникает разность потенциалов, которую называют фото-ЭДС. Возникшая фото-ЭДС приложена к р - n-переходу в прямом (пропускном) направлении, поэтому высота потенциального барьера соответственно уменьшается. Это в свою очередь вызывает появление так называемого тока утечки Jу, текущего в прямом направлении. Величина фото-ЭДС растет до тех пор, пока возрастающий ток основных носителей не скомпенсирует фототок.
Если замкнуть р - n-переход на нагрузочное сопротивление rн (рис. 4), по цепи пойдет ток J, который можно представить как сумму двух токов:
J = Jф – Jу. (2)
Ток утечки Jу рассчитывается по формуле (1) для неосвещенного р - n- перехода, когда к нему приложено внешнее напряжение Uн = J rн в прямом направлении:https://pandia.ru/text/78/022/images/image012_31.gif" width="25" height="28 src=">~ Ф. (3)
В режиме холостого хода цепь разомкнута (rн = https://pandia.ru/text/78/022/images/image014_26.gif" width="147" height="57 src=">, (4)
откуда следует, что
https://pandia.ru/text/78/022/images/image013_28.gif" width="19" height="15 src=">). При изменении внешней нагрузки от 0 до получаем участок ав , который и представляет собой собственно вольт-амперную характеристику р - n-перехода в фотогальваническом режиме при постоянном световом потоке. Участок вс характеризует работу фотоэлемента при подаче на р - n-переход прямого внешнего напряжения, участок а d – обратного внешнего напряжения (фотодиодный режим работы).
При изменении светового потока вольт-амперные характеристики смещаются, форма их изменяется. Семейство вольт-амперных характеристик вентильного фотоэлемента в фотогальваническом режиме при различных освещенностях представлено на рис. 5.
https://pandia.ru/text/78/022/images/image017_20.gif" width="231" height="12">
Прямые, проведенные из начала координат под углом α, определяемым величиной сопротивления нагрузки (ctg α = rн), пересекают характеристику в точках, абсциссы которых дают падение напряжения на нагрузке, а ординаты – ток во внешней цепи (U1 = J1 r1). Площадь, заштрихованная на рисунке, пропорциональна мощности Р1, выделяемой на нагрузке rн1:https://pandia.ru/text/78/022/images/image020_15.gif" width="136" height="52 src=">, (7)
где https://pandia.ru/text/78/022/images/image022_14.gif" height="50">.gif" width="12">
ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ
Задание 1. Снятие вольт-амперной характеристики вентильного фотоэлемента
1. Изучив данное методическое пособие, внимательно ознакомиться с установкой.
2. Изменяя сопротивление rн от 10 до 900 Ом, при постоянной освещенности снять 8 – 10 значений напряжения и тока, (расстояние от источника света до фотоэлемента l = 5 см).
3. Повторить выполнение п. 2 для l = 10 и 15 см.
4. Построить семейство вольт-амперных характеристик.
Задание 2. Исследование вольт-амперных характеристик вентильного фотоэлемента
1. Для каждой освещенности из соответствующей вольт-амперной характеристики определить максимальную мощность фототока Рmax и для этого случая по формуле (7) рассчитать КПД фотоэлемента. Освещенность Е вычисляется через силу света Jл источника и расстояние l по формуле .
2. Зная Рmax для всех освещенностей, рассчитать по формуле (6) оптимальные нагрузочные сопротивления rн. опт. Построить график rн. опт = f(E).
3. Построить графики Jк. з = f(E) и Ux. x = f(E).
КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1. В чем заключается явление внутреннего фотоэффекта?
2. В чем состоит отличие полупроводника n-типа от полупроводника р-типа?
3. Как достигается нужный тип проводимости полупроводника?
4. Нарисуйте энергетическую схему полупроводников n - и р-типа.
5. Объясните механизм возникновения контактной разности потенциалов р - n-перехода.
6. Объясните механизм действия р - n-перехода как выпрямителя переменного тока.
7. Как устроен вентильный фотоэлемент?
8. Каково назначение вентильного фотоэлемента?
9. Можно ли вентильный фотоэлемент использовать в качестве детектора ионизирующих излучений?
10. Где находят применение вентильные фотоэлементы?
11. Каков механизм возникновения фото-ЭДС вентильного фотоэлемента?
12. Что такое уровень Ферми?
13. Назовите несколько причин сравнительно низкого КПД вентильных фотоэлементов.
14. Назовите преимущество вентильных фотоэлементов как источников электрической энергии перед другими, известными вам.
15. Каковы трудности широкого использования вентильных фотоэлементов? Перспективы.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Трофимова физики. М.: Высш. шк., 19с.
2. Лабораторный практикум по физике / Под ред. . М.: Высш. шк., 19с.